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Improved tunnel magnetoresistance characteristics of magnetic tunnel junctions with a Heusler alloy thin film of Co2MnGe and a MgO tunnel barrier

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タイトル: Improved tunnel magnetoresistance characteristics of magnetic tunnel junctions with a Heusler alloy thin film of Co2MnGe and a MgO tunnel barrier
著者: Hakamata, Shinya 著作を一覧する
Ishikawa, Takayuki 著作を一覧する
Marukame, Takao 著作を一覧する
Matsuda, Ken-Ichi 著作を一覧する
Uemura, Tetsuya 著作を一覧する
Arita, Masashi 著作を一覧する
Yamamoto, Masafumi 著作を一覧する
発行日: 2007年 5月 9日
出版者: American Institute of Physics
誌名: Journal of Applied Physics
巻: 101
号: 9
開始ページ: 09J513
出版社 DOI: 10.1063/1.2713209
抄録: We fabricated magnetic tunnel junctions (MTJs) with a Co-based full-Heusler alloy thin film of Co2MnGe (CMG) and a MgO tunnel barrier. The microfabricated MTJs with a Co-rich CMG film showed relatively high tunnel magnetoresistance ratios of 83% at room temperature and 185% at 4.2 K. These values are much higher than those previously obtained for CMG/MgO MTJs with a Co-deficient CMG film.
Rights: Copyright 2007 American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics. The following article appeared in J. Appl. Phys. 101, 09J513 (2007) and may be found at http://link.aip.org/link/?jap/101/09J513
関連URI: http://link.aip.org/link/?jap/101/09J513
資料タイプ: article
URI: http://hdl.handle.net/2115/50615
出現コレクション:雑誌発表論文等 (Peer-reviewed Journal Articles, etc)

提供者: 山本 眞史

 

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