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Realization of InAs-based two-dimensional artificial lattice by selective area metalorganic vapor phase epitaxy

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タイトル: Realization of InAs-based two-dimensional artificial lattice by selective area metalorganic vapor phase epitaxy
著者: Mohan, Premila 著作を一覧する
Motohisa, Junichi 著作を一覧する
Fukui, Takashi 著作を一覧する
発行日: 2004年 4月 5日
出版者: American Institute of Physics
誌名: Applied Physics Letters
巻: 84
号: 14
開始ページ: 2664
終了ページ: 2666
出版社 DOI: 10.1063/1.1697645
抄録: The experimental realization of two-dimensional semiconductor artificial lattice based on InAs quantum wires is reported here. Artificial Kagome lattice fabricated using InAs quantum wires of unit cell size 0.7 mm has been theoretically proved to show ferromagnetism. Fabrication of such a structure with InAs quantum wires was attempted by selective area metalorganic vapor phase epitaxy using GaAs (111)A substrates. Temperature-dependent growth mode change was observed and Volmer-Weber growth mode at high temperature inhibited the formation of uniform structure. Low temperature and low AsH3 partial pressure resulted in the successful fabrication of 0.7 μm period InAs-based Kagome lattice structure.
Rights: Copyright © 2004 American Institute of Physics
Relation (URI): http://www.aip.org/
資料タイプ: article
URI: http://hdl.handle.net/2115/5508
出現コレクション:雑誌発表論文等 (Peer-reviewed Journal Articles, etc)

提供者: 本久 順一

 

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