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Suppression of current collapse in insulated gate AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors using ultrathin Al2O3 dielectric

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タイトル: Suppression of current collapse in insulated gate AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors using ultrathin Al2O3 dielectric
著者: Hashizume, Tamotsu 著作を一覧する
Ootomo, Shinya 著作を一覧する
Hasegawa, Hideki 著作を一覧する
発行日: 2003年10月 6日
出版者: American Institute of Physics
誌名: Applied Physics Letters
巻: 83
号: 14
開始ページ: 2952
終了ページ: 2954
出版社 DOI: 10.1063/1.1616648
抄録: We investigated effects of electronic states at free surfaces of AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors (HFETs) on the inner current transport at the heterointerfaces. The analysis on transient currents for the air-exposed and H2-plasma-treated devices showed that N-vacancy-related near-surface traps play an important role in current collapse in AlGaN/GaN HFETs. An Al2O3-based surface passivation scheme including an N2-plasma surface treatment was proposed and applied to an insulated-gate HFET. A large conduction-band offset of 2.1 eV was achieved at the Al2O3/Al0.3Ga0.7N interface. No current collapse was observed in the fabricated Al2O3 insulated-gate HFETs under both drain stress and gate stress.
Rights: Copyright © 2003 American Institute of Physics
関連URI: http://www.aip.org/
資料タイプ: article
URI: http://hdl.handle.net/2115/5540
出現コレクション:雑誌発表論文等 (Peer-reviewed Journal Articles, etc)

提供者: 橋詰 保

 

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