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有機半導体のグラフォエピタキシー
Title: | 有機半導体のグラフォエピタキシー |
Other Titles: | Graphoepitaxy of organic semiconductor |
Authors: | 池田, 進1 Browse this author | 和田, 恭雄2 Browse this author | 稲葉, 克彦3 Browse this author | 寺嶋, 和夫4 Browse this author | 島田, 敏宏5 Browse this author →KAKEN DB | 斉木, 幸一朗6 Browse this author |
Authors(alt): | Ikeda, Susumu1 | Wada, Yasuo2 | Inaba, Katsuhiko3 | Terashima, Kazuo4 | Shimada, Toshihiro5 | Saiki, Koichiro6 |
Keywords: | 電子デバイス | 結晶成長 |
Issue Date: | 2008 |
Publisher: | 日本結晶成長学会 |
Journal Title: | 日本結晶成長学会誌 |
Journal Title(alt): | Journal of the Japanese Association for Crystal Growth |
Volume: | 35 |
Issue: | 4 |
Start Page: | 243 |
End Page: | 248 |
Publisher DOI: | 10.19009/jjacg.35.4_243 |
Abstract: | Organic semiconductors have attracted much attention as key materials to realize plastic electronics, and thin film transistors (TFTs) using organic semiconductors are present target in this research field. However, randomly oriented polycrystalline films grown on amorphous gate insulator show a much lower carrier mobility than that of single crystals and this is one of the problems to make organic TFTs. To improve the mobility, control of in-plane orientation of the thin films on amorphous substrates is required. In this review, the concept of "graphoepitaxy" is introduced as a way to control the in-plane orientation, and application of graphoepitaxy to organic semiconductor sexithiophene is reported. | 有機半導体はそのフレキシビリティー,低コスト化などの観点から,新しい電子デバイス材料として注目を集めている.実デバイスとするためには高いキャリア移動度が要求されるが,例えば薄膜トランジスタにしばしば用いられるアモルファス基板(ゲート絶縁体)上で薄膜成長を行うと,面内方位がランダムな多結晶性薄膜となり,単結晶がもつ物質本来の移動度を引き出すことができない.このような基板に起因する有機半導体薄膜成長の問題点を解決する手段として,無機材料の分野で研究が進んでいるグラフォエピタキシーに着目した.本報では,有機半導体薄膜の面内配向制御にグラフォエピタキシーを応用した結果と有機グラフォエピタキシーに特有な結晶成長メカニズムについて解説する. |
Rights: | 著作権は日本結晶成長学会にある。 |
Type: | article |
URI: | http://hdl.handle.net/2115/73449 |
Appears in Collections: | 工学院・工学研究院 (Graduate School of Engineering / Faculty of Engineering) > 雑誌発表論文等 (Peer-reviewed Journal Articles, etc)
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Submitter: 島田 敏宏
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