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アルミニウム誘起結晶化法による多結晶シリコン形成過程のその場加熱観察

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materia 45(12) 906.pdf1.17 MBPDFView/Open
Please use this identifier to cite or link to this item:http://hdl.handle.net/2115/75576

Title: アルミニウム誘起結晶化法による多結晶シリコン形成過程のその場加熱観察
Other Titles: In-situ Heating Observation of Formation Process of Polycrystalline Si Using Aluminum Induced Crystallization
Authors: 池田, 賢一1 Browse this author →KAKEN DB
中島, 英治2 Browse this author
廣田, 健3 Browse this author
藤本, 健資4 Browse this author
杉本, 陽平5 Browse this author
高田, 尚記6 Browse this author
井, 誠一郎7 Browse this author
中島, 寛8 Browse this author
Authors(alt): Ikeda, Ken-ichi1
Nakashima, Hideharu2
Hirota, Takeshi3
Fujimoto, Kensuke4
Sugimoto, Youhei5
Takata, Naoki6
Ii, Seiichiro7
Nakashima, Hiroshi8
Keywords: In-situ heating observation
aluminum induced crystallization
polycrystalline silicon
Issue Date: 20-Dec-2006
Publisher: 日本金属学会
Journal Title: まてりあ
Journal Title(alt): Materia Japan
Volume: 45
Issue: 12
Start Page: 906
End Page: 906
Publisher DOI: 10.2320/materia.45.906
Abstract: 多結晶シリコン(Si)薄膜を低温で作製するプロセスの一つとしてアルミニウムAAl)誘起結晶化(Aluminum Induced Crystallization: AIC)法が注目されている。AIC法では、Fig.1に示すように基板にAl膜→アモルファスシリコン(a-Si)膜の順に蒸着した後に、600℃以下で熱処理を施すことで、Al膜とa-Si膜が完全に入れ替わり、a-Siの結晶化により多結晶Si薄膜(c-Si)が形成される。熱処理後に入れ替わったAl膜をエッチングにより除去すれば基板上に多結晶Si薄膜を大面積で作製することができ、次世代のデバイス材料への応用が期待される。これまで、a-Si/Al多層膜において、その場加熱TEM観察により結晶化に関する報告がなされているが、a-Si/Al二層膜での結晶化機構は明らかにされていないのが現状である。そこで本研究では、AIC法による多結晶Siの形成過程を明らかにするために、TEM内その場加熱観察を行った。
Type: article
URI: http://hdl.handle.net/2115/75576
Appears in Collections:工学院・工学研究院 (Graduate School of Engineering / Faculty of Engineering) > 雑誌発表論文等 (Peer-reviewed Journal Articles, etc)

Submitter: 池田 賢一

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