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Study on ECR dry etching and selective MBE growth of AlGaN/GaN for fabrication of quantum nanostructures on GaN (0001) substrates

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タイトル: Study on ECR dry etching and selective MBE growth of AlGaN/GaN for fabrication of quantum nanostructures on GaN (0001) substrates
著者: Oikawa, Takeshi 著作を一覧する
Ishikawa, Fumitaro 著作を一覧する
Sato, Taketomo 著作を一覧する
Hashizume, Tamotsu 著作を一覧する
発行日: 2005年 5月15日
出版者: Elsevier B.V.
誌名: Applied Surface Science
巻: 244
号: 1-4
開始ページ: 84
終了ページ: 87
出版社 DOI: 10.1016/j.apsusc.2004.09.130
抄録: This paper attempts to form AlGaN/GaN quantum wire (QWR) network structures on patterned GaN (0 0 0 1) substrates by selective molecular beam epitaxy (MBE) growth. Substrate patterns were prepared along<1120> -<1100> and -directions by electron cyclotron resonance assisted reactive-ion beam etching (ECR-RIBE) process. Selective growth was possible for both directions in the case of GaN growth, but only in the <1120>-direction in the case of AlGaN growth. A hexagonal QWR network was successfully grown on a hexagonal mesa pattern by combining the <1120>-direction and two other equivalent directions. AFM observation confirmed excellent surface morphology of the grown network. A clear cathodoluminescence (CL) peak coming from the embedded AlGaN/GaN QWR structure was clearly identified.
Relation (URI): http://www.sciencedirect.com/science/journal/01694332
資料タイプ: article (author version)
URI: http://hdl.handle.net/2115/5595
出現コレクション:雑誌発表論文等 (Peer-reviewed Journal Articles, etc)

提供者: 橋詰 保

 

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