| Type | Author(s) | Title | Other Titles | Citation | Citation(alt) | Issue Date |
| article (author version) | Sato, Taketomo; Kaneshiro, Chinami; Hasegawa, Hideki | The Strong Correlation between Interface Microstructure and Barrier Height in Pt/n-InP Schottky Contacts Formed by an In Situ Electrochemical Process | - | Japanese Journal of Applied Physics. Pt. 1, Regular papers, short notes & review papers | - | Feb-1999 |
| article | Hashizume, Tamotsu; Ootomo, Shinya; Hasegawa, Hideki | Suppression of current collapse in insulated gate AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors using ultrathin Al2O3 dielectric | - | Applied Physics Letters | - | 6-Oct-2003 |
| article (author version) | Kasai, Seiya; Han, Weihua; Yumoto, Miki; Hasegawa, Hideki | Teraheltz Response of Schottky Wrap Gate-Controlled Quantum Dots | - | Physica Status Solidi. C. Current Topics in Solid State Physics | - | 26-Jun-2003 |
| bulletin (article) | Hasegawa, Hideki | Theory of Carrier Waves Along Semiconductor-Insulator Boundaries | - | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 7-Dec-1976 |
| article (author version) | Suzuki, Tadaki; Orba, Yasuko; Makino, Yoshinori; Okada, Yuki; Sunden, Yuji; Hasegawa, Hideki; Hall, William W.; Sawa, Hirofumi | Viroporin activity of the JC polyomavirus is regulated by interactions with the adaptor protein complex 3 | - | Proceedings of the National Academy of Sciences of the United States of America | - | 12-Nov-2013 |
| bulletin (article) | 下妻, 光夫; 長谷川, 英機; 田頭, 博昭 | アルゴン-シランと窒素-シラン混合ガスのグロー放電発光スペクトル | Emission Spectrum of the Glow Discharge in Argon-Silane and Nitrogen-Silane Mixtures | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 31-Oct-1983 |
| bulletin (article) | 菊地, 強; 大野, 英男; 長谷川, 英機 | ショットキー電極を用いたIN0.53Ga0.47As金属-半導体-金属フォトダイオード | In0.53Ga0.47As Metal-semiconductor-metal Photodiode Using Schottky Contact | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 29-Jul-1988 |
| bulletin (article) | 大植, 英司; 赤沢, 正道; 児玉, 聡; 長谷川, 英機 | シリコン超薄膜を用いたInGaAsの表面不活性化とその応用 | A New Surface Passivation Method of InGaAs Using a Si Ultrathin Layer and Its Application | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 20-Jul-1991 |
| bulletin (article) | 岩穴, 忠義; 藤倉, 序章; 長谷川, 英機 | フォトルミネセンス法によるInGaAS細線の評価 | Charactorization of InGaAs Wires by Photoluminescence | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 29-Jul-1994 |
| bulletin (article) | 西本, 陽一郎; 斉藤, 俊也; 長谷川, 英機 | フォトルミネセンス法によるシリコン表面の表面再結合速度の評価 | Measurement of Surface Recombination Velocity of Si Surface by Photoluminescence Method | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 28-May-1993 |
| bulletin (article) | 樋口, 恵一; 後藤, 修; 福井, 孝志; 長谷川, 英機 | 原子層エピタキシ法によるInAs/GaAs量子井戸の形成と評価 | The Fabrication and Properties of InAs/GaAs Quantum Wells by ALE | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 27-May-1992 |
| bulletin (article) | 後藤, 修; 樋口, 恵一; 長谷川, 英機 | 原子層エピタキシ法によるInAs，GaAs薄膜の形成と量子井戸および障壁構造の製作 | Atomic Layer Epitaxy Growth of InAs and GaAs Thin Films and Fabrication of Quantum Wells and Barriers | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 24-May-1991 |
| bulletin (article) | 矢野, 仁之; 大野, 英男; 長谷川, 英機; 沢田, 孝幸 | 光伝導法による半絶縁性InP基板の評価 | Characterization of Semi-Insulating InP Substrates by Photo-Conductance Measurement | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 31-Jul-1987 |
| bulletin (article) | 小島, 清明; 長谷川, 英機 | 高抵抗率半導体結晶の成長条件について | Growth Conditions of High-Resistivity Semiconductor Crystals | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 31-Oct-1980 |
| bulletin (article) | 高橋, 平七郎; 柴山, 環樹; 長谷川, 英樹; 大野, 英男 | 高分解能電子顕微鏡による化合物半導体/酸化絶縁膜界面構造の観察 | Observation of Interfaces of Compound Semiconductors by High Resolution Electron Microscope | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 30-Sep-1988 |
| bulletin (article) | 田中, 利広; 石井, 敦司; 萩田, 晃一; 大野, 英男; 長谷川, 英機 | 高融点金属ゲートを用いたセルフアライン形InP MISFETの製作プロセスの検討 | Fabrication Process of Self-Aligned InP MISFETs Using Refractory Metal Gates | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 29-Jul-1988 |
| bulletin (article) | 廣瀬, 達哉; 松崎, 賢一郎; 駱, 季奎; 大野, 英男; 長谷川, 英機 | 選択ドープAlGaAs/GaAsヘテロ構造における2次元電子の磁気抵抗効果 | Magnetoresistance of Two Dimensional Electron Gas in AlGaAs/GaAs Selectively Doped Hetrero Structures | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 31-May-1989 |
| bulletin (article) | 岸田, 基也; 熊倉, 一英; 中越, 一彰; 山崎, 高宏; 本久, 順一; 福井, 孝志; 長谷川, 英機 | 選択成長によるGaAs及びAlGaAs立体構造の作製と評価 | Fabrication and Characterization of GaAs and AlGaAs Micro-Pyramids by Selective MOCVD | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 29-Jul-1994 |
| bulletin (article) | 工藤, 潤一; 長谷川, 英機; 大野, 英男; 飯塚, 浩一 | 超高速GaAs集積回路における配線の信号伝送特性の解析 : 配線抵抗の効果 | Signal Propagation Characteristics of Interconnect in GaAs Ultra High Speed Integrated Circuits : Effect of Interconnect Resistance | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 30-May-1988 |
| bulletin (article) | 有本, 智; 金澤, 裕; 原, 毅彦; 大野, 英男; 長谷川, 英機 | 等温過渡容量法 (ICTS) によるアモルファスSi MIS構造の評価 | Characterization of Interface Properties in an Amorphous Silicon Metal Insulator Semiconductor Structure by Isothermal Capacitance Transient Spectroscopy | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 31-Jul-1985 |
