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TypeAuthor(s)TitleOther TitlesCitationCitation(alt)Issue Date
bulletin (article)松原, 義徳; 後藤, 修; 大塚, 俊介; 長谷川, 英機; 大野, 英男MOVPE法によるInAsの原子層エピタキシと成長機構Atomic Layer Epitaxy of InAs by MOVPE and Growth Mechanism北海道大學工學部研究報告Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University31-May-1990
bulletin (article)楊, 炳雄; 石井, 宏辰; 飯塚, 浩一; 長谷川, 英機; 大野, 英男InPをPソースとするInPのMBE成長MBE Growth of InP Using Polycrystalline InP as the Phosphorus Source北海道大學工學部研究報告Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University31-May-1990
bulletin (article)廣瀬, 達哉; 松崎, 賢一郎; 駱, 季奎; 大野, 英男; 長谷川, 英機選択ドープAlGaAs/GaAsヘテロ構造における2次元電子の磁気抵抗効果Magnetoresistance of Two Dimensional Electron Gas in AlGaAs/GaAs Selectively Doped Hetrero Structures北海道大學工學部研究報告Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University31-May-1989
bulletin (article)松崎, 賢一郎; 友沢, 秀征; 駱, 季奎; 大野, 英男; 長谷川, 英機分子線エピタキシ法によるGaAsおよびInGaAs選択ドープへテロ構造の形成と2次元電子ガスの特性評価The Growth of GaAs and InGaAs Selectively Doped Hetero-structures by Molecular Beam Epitaxy and Characterization of Two-dimensional Electron Gas北海道大學工學部研究報告Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University31-May-1989
bulletin (article)高橋, 平七郎; 柴山, 環樹; 長谷川, 英樹; 大野, 英男高分解能電子顕微鏡による化合物半導体/酸化絶縁膜界面構造の観察Observation of Interfaces of Compound Semiconductors by High Resolution Electron Microscope北海道大學工學部研究報告Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University30-Sep-1988
bulletin (article)菊地, 強; 大野, 英男; 長谷川, 英機ショットキー電極を用いたIN0.53Ga0.47As金属-半導体-金属フォトダイオードIn0.53Ga0.47As Metal-semiconductor-metal Photodiode Using Schottky Contact北海道大學工學部研究報告Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University29-Jul-1988
bulletin (article)田中, 利広; 石井, 敦司; 萩田, 晃一; 大野, 英男; 長谷川, 英機高融点金属ゲートを用いたセルフアライン形InP MISFETの製作プロセスの検討Fabrication Process of Self-Aligned InP MISFETs Using Refractory Metal Gates北海道大學工學部研究報告Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University29-Jul-1988
bulletin (article)工藤, 潤一; 長谷川, 英機; 大野, 英男; 飯塚, 浩一超高速GaAs集積回路における配線の信号伝送特性の解析 : 配線抵抗の効果Signal Propagation Characteristics of Interconnect in GaAs Ultra High Speed Integrated Circuits : Effect of Interconnect Resistance北海道大學工學部研究報告Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University30-May-1988
bulletin (article)劉, 亜莉; 長谷川, 英機; 大野, 英男半絶縁性GaAs基板の絶縁破壊機構に関する検討Investigation of Breakdown Mechanism of Semi-Insulating GaAs北海道大學工學部研究報告Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University31-Oct-1987
bulletin (article)止境, 伸明; 大内, 敦; 大塚, 俊介; 池田, 英治; 大野, 英男; 長谷川, 英機有機金属気相成長法によるInGaAsの成長Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy Growth of InGaAs北海道大學工學部研究報告Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University31-Jul-1987
bulletin (article)矢野, 仁之; 大野, 英男; 長谷川, 英機; 沢田, 孝幸光伝導法による半絶縁性InP基板の評価Characterization of Semi-Insulating InP Substrates by Photo-Conductance Measurement北海道大學工學部研究報告Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University31-Jul-1987
bulletin (article)長沢, 進; 藤島, 直人; 大野, 英男; 長谷川, 英機GaAsを活性層とする光伝導形受光素子Photoconductive Detectors with GaAs Active Layer北海道大學工學部研究報告Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University31-Jul-1986
bulletin (article)増田, 宏; 何, 力; 長谷川, 英機; 沢田, 孝幸; 大野, 英男容量過渡解析によるAl2O3/native oxide/InP MIS構造の評価Characterization of Interface Properties of Al2O3/native oxide/InP MIS Structure by Capacitance Transient Analysis北海道大學工學部研究報告Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University31-Jul-1986
bulletin (article)有本, 智; 金澤, 裕; 原, 毅彦; 大野, 英男; 長谷川, 英機等温過渡容量法 (ICTS) によるアモルファスSi MIS構造の評価Characterization of Interface Properties in an Amorphous Silicon Metal Insulator Semiconductor Structure by Isothermal Capacitance Transient Spectroscopy北海道大學工學部研究報告Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University31-Jul-1985
bulletin (article)赤津, 祐史; 松本, 昌治; 大野, 英男; 長谷川, 英機MBE成長によるGaAsおよびAlGaAs中の深い準位Deep Levels in GaAs and AlGaAs Grown by MBE北海道大學工學部研究報告Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University31-May-1985
bulletin (article)大野, 英男GaAs/InAs(001)超格子半導体のバンド構造Band Structure of GaAs/InAs (001) Superlattice Semiconductor北海道大學工學部研究報告Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University31-May-1985
bulletin (article)勝見, 隆一; 大野, 英男; 高間, 俊彦; 長谷川, 英機分子線エピタキシャル法によるGaAs, InAsおよびGa_[x]In_[1-x]AsとGaAs/InAs歪入り超格子の成長Epitaxial Growth of GaAs, InAs, Ga_[x]In_[1-x]As and GaAs/InAs Strained Layer Superlattice by Molecular Beam Epitaxy北海道大學工學部研究報告Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University31-Jan-1985
bulletin (article)松尾, 望; 大野, 英男; 長谷川, 英機SiO2光導波路とGaAs受光素子の分布結合方式における光結合長の解析 : 光・電子集積回路におけるO/E変換部の検討Analysis of Coupling Length for Distributed Coupling between SiO2 optical waveguides and GaAs photodetectors : A Study of O/E Interface in Optoelectronic Integrated Circuits北海道大學工學部研究報告Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University31-Jan-1984
bulletin (article)池田, 英治; 赤津, 祐史; 大野, 英男; 長谷川, 英機有機金属気相成長法によるGaAsのエピタキシャル成長Epitaxial Growth of GaAs by Metalorganic Chemical Vapor Deposition北海道大學工學部研究報告Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University31-May-1983
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