Type | Author(s) | Title | Other Titles | Citation | Citation(alt) | Issue Date |
bulletin (article) | 長沢, 進; 藤島, 直人; 大野, 英男; 長谷川, 英機 | GaAsを活性層とする光伝導形受光素子 | Photoconductive Detectors with GaAs Active Layer | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 31-Jul-1986 |
bulletin (article) | 楊, 炳雄; 石井, 宏辰; 飯塚, 浩一; 長谷川, 英機; 大野, 英男 | InPをPソースとするInPのMBE成長 | MBE Growth of InP Using Polycrystalline InP as the Phosphorus Source | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 31-May-1990 |
bulletin (article) | 赤津, 祐史; 松本, 昌治; 大野, 英男; 長谷川, 英機 | MBE成長によるGaAsおよびAlGaAs中の深い準位 | Deep Levels in GaAs and AlGaAs Grown by MBE | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 31-May-1985 |
bulletin (article) | 松原, 義徳; 後藤, 修; 大塚, 俊介; 長谷川, 英機; 大野, 英男 | MOVPE法によるInAsの原子層エピタキシと成長機構 | Atomic Layer Epitaxy of InAs by MOVPE and Growth Mechanism | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 31-May-1990 |
bulletin (article) | 松尾, 望; 大野, 英男; 長谷川, 英機 | SiO2光導波路とGaAs受光素子の分布結合方式における光結合長の解析 : 光・電子集積回路におけるO/E変換部の検討 | Analysis of Coupling Length for Distributed Coupling between SiO2 optical waveguides and GaAs photodetectors : A Study of O/E Interface in Optoelectronic Integrated Circuits | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 31-Jan-1984 |
bulletin (article) | 菊地, 強; 大野, 英男; 長谷川, 英機 | ショットキー電極を用いたIN0.53Ga0.47As金属-半導体-金属フォトダイオード | In0.53Ga0.47As Metal-semiconductor-metal Photodiode Using Schottky Contact | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 29-Jul-1988 |
bulletin (article) | 大植, 英司; 赤沢, 正道; 児玉, 聡; 長谷川, 英機 | シリコン超薄膜を用いたInGaAsの表面不活性化とその応用 | A New Surface Passivation Method of InGaAs Using a Si Ultrathin Layer and Its Application | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 20-Jul-1991 |
bulletin (article) | 岩穴, 忠義; 藤倉, 序章; 長谷川, 英機 | フォトルミネセンス法によるInGaAS細線の評価 | Charactorization of InGaAs Wires by Photoluminescence | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 29-Jul-1994 |
bulletin (article) | 岩舘, 弘剛; 斉藤, 俊也; 長谷川, 英機 | フォトルミネセンス法によるInGaAs表面の評価 | Characterization of InGaAs Surface by Photoluminescence | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 20-Jul-1991 |
bulletin (article) | 西本, 陽一郎; 斉藤, 俊也; 長谷川, 英機 | フォトルミネセンス法によるシリコン表面の表面再結合速度の評価 | Measurement of Surface Recombination Velocity of Si Surface by Photoluminescence Method | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 28-May-1993 |
bulletin (article) | 樋口, 恵一; 後藤, 修; 福井, 孝志; 長谷川, 英機 | 原子層エピタキシ法によるInAs/GaAs量子井戸の形成と評価 | The Fabrication and Properties of InAs/GaAs Quantum Wells by ALE | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 27-May-1992 |
bulletin (article) | 後藤, 修; 樋口, 恵一; 長谷川, 英機 | 原子層エピタキシ法によるInAs,GaAs薄膜の形成と量子井戸および障壁構造の製作 | Atomic Layer Epitaxy Growth of InAs and GaAs Thin Films and Fabrication of Quantum Wells and Barriers | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 24-May-1991 |
bulletin (article) | 矢野, 仁之; 大野, 英男; 長谷川, 英機; 沢田, 孝幸 | 光伝導法による半絶縁性InP基板の評価 | Characterization of Semi-Insulating InP Substrates by Photo-Conductance Measurement | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 31-Jul-1987 |
bulletin (article) | 小島, 清明; 長谷川, 英機 | 高抵抗率半導体結晶の成長条件について | Growth Conditions of High-Resistivity Semiconductor Crystals | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 31-Oct-1980 |
bulletin (article) | 田中, 利広; 石井, 敦司; 萩田, 晃一; 大野, 英男; 長谷川, 英機 | 高融点金属ゲートを用いたセルフアライン形InP MISFETの製作プロセスの検討 | Fabrication Process of Self-Aligned InP MISFETs Using Refractory Metal Gates | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 29-Jul-1988 |
bulletin (article) | 廣瀬, 達哉; 松崎, 賢一郎; 駱, 季奎; 大野, 英男; 長谷川, 英機 | 選択ドープAlGaAs/GaAsヘテロ構造における2次元電子の磁気抵抗効果 | Magnetoresistance of Two Dimensional Electron Gas in AlGaAs/GaAs Selectively Doped Hetrero Structures | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 31-May-1989 |
bulletin (article) | 工藤, 潤一; 長谷川, 英機; 大野, 英男; 飯塚, 浩一 | 超高速GaAs集積回路における配線の信号伝送特性の解析 : 配線抵抗の効果 | Signal Propagation Characteristics of Interconnect in GaAs Ultra High Speed Integrated Circuits : Effect of Interconnect Resistance | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 30-May-1988 |
bulletin (article) | 有本, 智; 金澤, 裕; 原, 毅彦; 大野, 英男; 長谷川, 英機 | 等温過渡容量法 (ICTS) によるアモルファスSi MIS構造の評価 | Characterization of Interface Properties in an Amorphous Silicon Metal Insulator Semiconductor Structure by Isothermal Capacitance Transient Spectroscopy | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 31-Jul-1985 |
bulletin (article) | 劉, 亜莉; 長谷川, 英機; 大野, 英男 | 半絶縁性GaAs基板の絶縁破壊機構に関する検討 | Investigation of Breakdown Mechanism of Semi-Insulating GaAs | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 31-Oct-1987 |
bulletin (article) | 佐々木, 恵二; 赤沢, 正道; 塩原, 俊助; 長谷川, 英機 | 半絶縁性基板の表面電気伝導および表面不活性化 | Electrical Conduction Near Surface of Semi-Insulating Substrate and Its Surface Passivation | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 29-Jul-1994 |